Haber Detayı

GaN teknolojisinde büyük atılım: 4.000 Volt'a dayanan transistör geliştirildi
Teknoloji donanimhaber.com
30/08/2026 21:00 (1 saat önce)

GaN teknolojisinde büyük atılım: 4.000 Volt'a dayanan transistör geliştirildi

İsviçre’deki araştırmacılar, galyum nitrat (GaN) tabanlı güç elektroniğinde önemli bir sınırı aşmayı başardı. Geliştirilen yeni transistör, 4 kV gerilime dayanırken düşük elektrik direncini koruyor.

Teknolojinin her türlüsüne ilgi duyan Deniz, ağırlıklı olarak bilgisayar donanımları, mobil teknolojiler, yenilenebilir enerji ve elektrikli araçlar üzerine içerikler üretiyor. Buna karşın GaN teknolo…

Güncel Haberler

İlgili Sitenin Haberleri